Bonjour à tous.
Une question que je me pose purement physique.
Lors de l'utilisation de transistor MOS en sortie de µc on m'a toujours dit de mettre une résistance de 10Kohms entre la gachette et la masse afin de vider cette gachette qui se comporte comme une sorte de condensateur afin d'etre sur que le MOS ne soit plus passant (saturé) après l'arret de l'impulsion de commande C'est bien cela ? Ou est ce seulement utilise lors de l'initialisation du pic pour pas que celui-ci envoie la sauce dans la gachette le temps de la stabilisation des E/S ?
Je voulais savoir si cela était de même pour un transistor bipolaire classique PNP / NPN ? (R de 10K entre Base et masse ).
D'avance merci.
Autre chose quel intéret y a t-il à utiliser un driver de MOSFET plutot qu'un MOS à commande logique de type IRL530N par exemple ?
Emile.
Une question que je me pose purement physique.
Lors de l'utilisation de transistor MOS en sortie de µc on m'a toujours dit de mettre une résistance de 10Kohms entre la gachette et la masse afin de vider cette gachette qui se comporte comme une sorte de condensateur afin d'etre sur que le MOS ne soit plus passant (saturé) après l'arret de l'impulsion de commande C'est bien cela ? Ou est ce seulement utilise lors de l'initialisation du pic pour pas que celui-ci envoie la sauce dans la gachette le temps de la stabilisation des E/S ?
Je voulais savoir si cela était de même pour un transistor bipolaire classique PNP / NPN ? (R de 10K entre Base et masse ).
D'avance merci.
Autre chose quel intéret y a t-il à utiliser un driver de MOSFET plutot qu'un MOS à commande logique de type IRL530N par exemple ?
Emile.
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